Расчет диффузии примесей в кремнии
https://doi.org/10.21122/1029-7448-2004-0-4-45-51
Аннотация
Содержит информацию об аналитических решениях уравнения диффузии, полученных впервые. Рассматривается пример расчета диффузионных процессов в кремнии при производстве полупроводниковых приборов. Математические функции, пригодные для получения аналитических формул, определены с помощью детального анализа физической модели. Такие функции позволяют найти приближения снизу и сверху к решению данной задачи, что значительно сокращает время расчета при использовании компьютерных программ для трехмерных процессов.
Об авторе
В. А. Бондарев
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Кандидат технических наук, доцент
Беларусь
Кандидат технических наук, доцент
Список литературы
1. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов. - М.: Радио и связь, 1988.
2. Бубенников А. Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. - М.: Высш. шк., 1989.
3. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. - М.: Наука, 1964.
4. Ssuprem 4, Компьютерная программа для моделирования диффузионных техно¬логий; Компания Silvaco International.
5. Бондарев В. А. Вариационная формулировка задачи нестационарной теплопроводности // ИФЖ. - 1992. - № 1. - Т. 62.
6. Вопdагеv V. А. Variational method for solving non-linear problems of unsteady-state heat conduction // Int. J. Heat Mass Transfer. - Vol. 40, No. 14. - Pergamon, Oxford, 1997.
7. Технология СБИС.-М.:Мир, 1986.
Рецензия
Для цитирования:
Бондарев В.А. Расчет диффузии примесей в кремнии. Энергетика. Известия высших учебных заведений и энергетических объединений СНГ. 2004;(4):45-51. https://doi.org/10.21122/1029-7448-2004-0-4-45-51
For citation:
Bondarev V.А. Calculation of Impurity Diffusion in Siiicon. ENERGETIKA. Proceedings of CIS higher education institutions and power engineering associations. 2004;(4):45-51. (In Russ.) https://doi.org/10.21122/1029-7448-2004-0-4-45-51
Просмотров:
357
Послать статью по эл. почте 