energyЭнергетика. Известия высших учебных заведений и энергетических объединений СНГENERGETIKA. Proceedings of CIS higher education institutions and power engineering associations1029-74482414-0341BNTU10.21122/1029-7448-2004-0-4-45-51energy-1155Research ArticleТЕПЛОЭНЕРГЕТИКАНEAT POWER ENGINEERINGРасчет диффузии примесей в кремнииCalculation of Impurity Diffusion in SiiiconБондаревВ. А.BondarevV. А.

Кандидат технических наук, доцент

energy@bntu.byБелорусский национальный технический университетБеларусьBelarusian National Technical UniversityBelarus200430082004044551Copyright © Бондарев В.А., 20042004Бондарев В.А.Bondarev V.А.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://energy.bntu.by/jour/article/view/1155

Содержит информацию об аналитических решениях уравнения диффузии, полученных впервые. Рассматривается пример расчета диффузионных процессов в кремнии при производстве полупроводниковых приборов. Математические функции, пригодные для получения аналитических формул, определены с помощью детального анализа физической модели. Такие функции позволяют найти приближения снизу и сверху к решению данной задачи, что значительно сокращает время расчета при использовании компьютерных программ для трехмерных процессов.

The paper contains information about analytical solutions of diffusion equation which have been obtained for the first time. An example of calculation of diffusion processes in silicon during manufacturing of semiconductor devices is considered in the paper. Mathematical functions suitable for obtaining analytical formulae are determined with the help of a detailed analysis of physical model. Such functions make it possible to find approximations from below and above to the solution of the given problem that greatly reduces the calculation time if computer programs for three-dimensional

ReferencesМОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов. - М.: Радио и связь, 1988.МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов. - М.: Радио и связь, 1988.Бубенников А. Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. - М.: Высш. шк., 1989.Бубенников А. Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. - М.: Высш. шк., 1989.Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. - М.: Наука, 1964.Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. - М.: Наука, 1964.Ssuprem 4, Компьютерная программа для моделирования диффузионных техно¬логий; Компания Silvaco International.Ssuprem 4, Компьютерная программа для моделирования диффузионных техно¬логий; Компания Silvaco International.Бондарев В. А. Вариационная формулировка задачи нестационарной теплопроводности // ИФЖ. - 1992. - № 1. - Т. 62.Бондарев В. А. Вариационная формулировка задачи нестационарной теплопроводности // ИФЖ. - 1992. - № 1. - Т. 62.Вопdагеv V. А. Variational method for solving non-linear problems of unsteady-state heat conduction // Int. J. Heat Mass Transfer. - Vol. 40, No. 14. - Pergamon, Oxford, 1997.Вопdагеv V. А. Variational method for solving non-linear problems of unsteady-state heat conduction // Int. J. Heat Mass Transfer. - Vol. 40, No. 14. - Pergamon, Oxford, 1997.Технология СБИС.-М.:Мир, 1986.Технология СБИС.-М.:Мир, 1986.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.