Математическая модель окисления кремния в микроэлектронике
Аннотация
Приводятся аналитические решения и формулы для определения толщины оксидной пленки при окислении кремния с использованием нитридной маски. Расчеты основаны на решениях трехмерного уравнения диффузии с использованием новых математических функций, которые впервые определены автором. До настоящего времени пригодные аналитические и численные решения, основанные на использовании уравнения диффузии, не получены.
Список литературы
1. Технология СБИС. - М.: Мир, 1986.
2. Guillemot N., Panakakis G., Chenev ier P. A New Analytical Model of the «Bird's Beak» // Transaction on Electronic Devices. - Vol. ED-34, No. 5. - May 1987.
3. Бубенников A. H. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. - М.: Высш. шк., 1989.
Рецензия
Для цитирования:
Бондарев В.А. Математическая модель окисления кремния в микроэлектронике. Энергетика. Известия высших учебных заведений и энергетических объединений СНГ. 2006;(2):68-73.
For citation:
Bondarev V.A. Mathematical Model of Silicon Oxidation in Microelectronics. ENERGETIKA. Proceedings of CIS higher education institutions and power engineering associations. 2006;(2):68-73. (In Russ.)
Просмотров:
821
Послать статью по эл. почте 