Для цитирования:
Гречихин Л.И. Теория биполярного транзистора с учетом строения твердого тела и наличия отрицательных ионов. Часть 2. Формирование электрического тока смещения и вольт-амперной характеристики в биполярном транзисторе. Энергетика. Известия высших учебных заведений и энергетических объединений СНГ. 2026;69(1):34-49. https://doi.org/10.21122/1029-7448-2026-69-1-34-49
For citation:
Gretchikhin L.I. Theory of the Bipolar Transistor, Taking into Account the Structure of a Solid and the Presence of Negative Ions. Part 2. Structure of a Semiconductor Solid Doped with Arsenic and Indium. ENERGETIKA. Proceedings of CIS higher education institutions and power engineering associations. 2026;69(1):34-49. (In Russ.) https://doi.org/10.21122/1029-7448-2026-69-1-34-49
JATS XML






























