Расчет вольт-амперных характеристик полевых транзисторов в интегральных схемах аналитическими методами
Аннотация
Приводятся аналитические решения и формулы для расчета вольт-амперных статических характеристик МОП-транзисторов. Расчеты основаны на проверках принципа сохранения зарядов, что позволяет надежно определить ожидаемые параметры новых приборов при различных технологических условиях. Программы также учитывают граничные условия, которые имеют место в p-n-переходе в области стока и сильно влияют на режимы транзисторов. Результаты использованы для анализа различных физических процессов переноса зарядов, что обычно не может быть выполнено с помощью существующих численных схем. Разработаны алгоритмы для определения подвижности электронов и квазиуровней Ферми. Программы также включают аналитические формулы, ранее полученные автором для расчетов кривых распределения примесей.
Об авторе
В. А. БондаревБеларусь
Кандидат технических наук, доцент
г. Минск
Список литературы
1. МОП–СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов. – М. : Радио и связь, 1988.
2. Ефимов, И. Е. Микроэлектроника / И. Е. Ефимов, И. Я. Козырь, Ю. И. Горбунов. – М. : Наука, 1986.
3. Бондарев, В. А. Расчет диффузии примесей в кремнии / В. А. Бондарев // Энергетика… (Изв. высш. учеб. заведений и энерг. объединений СНГ). – 2004. – № 4.
4. Ssuprem4. Компьютерная программа для моделирования технологических процессов при производстве интегральных схем. Компания Silvaco International.
Рецензия
Для цитирования:
Бондарев В.А. Расчет вольт-амперных характеристик полевых транзисторов в интегральных схемах аналитическими методами. Энергетика. Известия высших учебных заведений и энергетических объединений СНГ. 2006;(6):70-76.
For citation:
Bondarev V.A. Calculation of Voltage-Current Characteristics of Field-Effect Transistors in Integrated Circuits by Analytical Methods. ENERGETIKA. Proceedings of CIS higher education institutions and power engineering associations. 2006;(6):70-76. (In Russ.)
JATS XML






























