<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">energy</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Энергетика. Известия высших учебных заведений и энергетических объединений СНГ</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>ENERGETIKA. Proceedings of CIS higher education institutions and power engineering associations</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1029-7448</issn><issn pub-type="epub">2414-0341</issn><publisher><publisher-name>BNTU</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.21122/1029-7448-2020-63-1-5-13</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">energy-1905</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ОБЩАЯ ЭНЕРГЕТИКА</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>GENERAL POWER ENGINEERING</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Моделирование тонкопленочных солнечных элементов со структурой халькопирита CuInSe2</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Simulation of Thin-Film Solar Cells with a CuInSe2 Chalcopyrite Structure</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Есман</surname><given-names>А. К.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Esman</surname><given-names>A. K.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Адрес для переписки: Есман Александр Константинович – Белорусский национальный технический университет, просп. Независимости, 65, 220013, г. Минск, Республика Беларусь. Тел.: +375 17 331-00-50     ak_esman@bntu.by</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Address for correspondence: Esman Alexander K. – Belarusian National Technical University, 65 Nezavisimosty Ave., 220013, Minsk, Republic of Belarus. Tel.: +375 17 331-00-50 ak_esman@bntu.by</p></bio><email xlink:type="simple">ak_esman@bntu.by</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Зыков</surname><given-names>Г. Л.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Zykov</surname><given-names>G. L.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"/><bio xml:lang="en"/><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Потачиц</surname><given-names>В. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Potachits</surname><given-names>V. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"/><bio xml:lang="en"/><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Кулешов</surname><given-names>В. К.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kuleshov</surname><given-names>V. K.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"/><bio xml:lang="en"/><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Белорусский национальный технический университет</institution><country>Беларусь</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Belarusian National Technical University</institution><country>Belarus</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2020</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>07</day><month>02</month><year>2020</year></pub-date><volume>63</volume><issue>1</issue><fpage>5</fpage><lpage>13</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Есман А.К., Зыков Г.Л., Потачиц В.А., Кулешов В.К., 2020</copyright-statement><copyright-year>2020</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Есман А.К., Зыков Г.Л., Потачиц В.А., Кулешов В.К.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Esman A.K., Zykov G.L., Potachits V.A., Kuleshov V.K.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://energy.bntu.by/jour/article/view/1905">https://energy.bntu.by/jour/article/view/1905</self-uri><abstract><p>С помощью численного моделирования определены рабочие температуры тонкопленочного солнечного элемента на основе CuInSe2 и оптимизированы значения плотности мощности солнечного излучения, при которых не требуется стабилизация температурного режима данного элемента. Максимально возможное значение КПД ~14,8 % достигается при реальных условиях эксплуатации и поддерживается за счет поступающей тепловой энергии, как выделяющейся в этом элементе, так и инфракрасных излучений – солнца и окружающей среды. Модель предлагаемого тонкопленочного солнечного элемента была реализована в программной среде COMSOL Multiphysics с использованием модуля «Теплопередача». Определены рабочие температуры солнечного элемента без термостабилизации в условиях сезонного и суточного изменения температуры окружающей среды и плотности мощности солнечного излучения спектра AM1,5, максимальное значение которой варьировалось в пределах от 1 до 500 кВт/м2 при использовании концентраторов. Полученные значения рабочих температур тонкопленочного солнечного элемента использовались при определении основных его параметров в программе SCAPS-1D. Приведены графики зависимостей рабочей температуры, коэффициента полезного действия и коэффициента заполнения тонкопленочного солнечного элемента от плотности мощности солнечного излучения. Показано, что для получения максимально возможного КПД солнечного элемента необходимо использовать концентрированное солнечное излучение с максимальным значением плотности мощности 8 кВт/м2 в июле и 10 кВт/м2 в январе. В случае более низких и высоких этих величин необходима соответствующая термостабилизация рассматриваемого элемента. Также рассчитаны зависимости КПД, коэффициента заполнения и напряжения холостого хода от температуры стабилизации солнечного элемента, градиенты температур на границах раздела термоэлектрического слоя. Показано, что при выборе оптимальных значений термостабилизации эффективность предлагаемого солнечного элемента может составлять порядка 15 % и более.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>By using numerical simulation, the operating temperatures of a thin-film solar cell based on CuInSe2 have been determined and the solar radiation density values, at which stabilization of the temperature operating conditions of the thin-film solar cell is not required, have been optimized. The maximum possible efficiency value of ~14.8 % is achieved under actual operating conditions, and is maintained by the incoming thermal energy as both emitted in this cell and infrared radiation of the sun and the environment. A model of the proposed thin-film solar cell was implemented in the COMSOL Multiphysics program environment with the use of the Heat Transfer Module. The operating temperatures of the solar cell without thermal stabilization under conditions of the diurnal and seasonal variations of both the ambient temperature and the power density of the AM1.5 solar spectrum have been determined. The maximum value of this power density was varied from 1.0 to 500 kW/m2 when using concentrators. The obtained values of operating temperatures of the thin-film solar cell were used to determine its main parameters in the SCAPS-1D program. The graphs of the operating temperature, efficiency and fill factor of the thin-film solar cell versus the solar radiation density are provided. It is shown that in order to obtain the highest possible efficiency of a solar cell, it is necessary to use concentrated solar radiation with a power density, the maximum value of which should be 8 kW/m2 in July and 10 kW/m2 in January. In the case of lower and higher values of power density, an appropriate thermal stabilization of the cell under consideration is necessary. The dependencies of efficiency, fill factor and open-circuit voltage versus the stabilization temperature of the solar cell, temperature gradients at the interfaces of the thermoelectric layer were also calculated. It is shown that by choosing optimal values of the thermal stabilization, the efficiency of the proposed solar cell may be about 15 % or more.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>тонкопленочный солнечный элемент CuInSe</kwd><kwd>численное моделирование</kwd><kwd>COMSOL Multiphysics</kwd><kwd>SCAPS-1D</kwd><kwd>термоэлектрический слой</kwd><kwd>фотоэлектрический преобразователь</kwd><kwd>концентратор солнечного излучения</kwd><kwd>плотность мощности солнечного излучения</kwd><kwd>вольт-амперная арактеристика</kwd><kwd>коэффициент заполнения</kwd><kwd>коэффициент полезного действия</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>CuInSe2 thin-film solar cell</kwd><kwd>numerical simulation</kwd><kwd>COMSOL Multiphysics</kwd><kwd>SCAPS-1D</kwd><kwd>thermoelectric layer</kwd><kwd>photoelectric converter</kwd><kwd>solar concentrator</kwd><kwd>solar radiation density</kwd><kwd>currentvoltage characteristic</kwd><kwd>fill factor</kwd><kwd>efficiency</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Flexible CuInSe2 nanocrystal solar cells on paper / V. R. Voggu [et al.] // ACS Energy Lett. 2017. Vol. 2, No 3. P. 574–581. https://doi.org/10.1021/acsenergylett.7b00001</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Voggu V. R., Sham J., Preffer S., Pate J., Fillip L., Harvey T. B., Brown R. M. Jr., Korgel B. A. (2017) Flexible CuInSe2 Nanocrystal Solar Cells on Paper. ACS Energy Letters, 2 (3), 574–581. https://doi.org/10.1021/acsenergylett.7b00001</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Solar Cell Efficiency Tables (version 53) / M. A. Green [et al.] // Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 2019. Vol. 27. P. 3–12. https://doi.org/10.1002/pip.3102</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Green M. A., Hishikawa Y., Dunlop E. D., Levi D. H., Holf-Ebinger J., Yoshita M., Ho-Baillie A. W. Y. (2019) Solar Cell Efficiency Tables (version 53). Progress in Photovoltaics: Research and Applications, 27, 3–12. https://doi.org/10.1002/pip.3102</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Properties of Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells with New Record Efficiencies Up to 21.7 % / P. Jackson [et al.] // Phys. Status Solidi – Rapid Res. Lett. 2015. Vol. 9, Iss. 1. P. 28–31. https://doi.org/10.1002/pssr.201409520</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Jackson P., Hariskos D., Wuerz R., Kiowski O., Bauer A., Friedlmeier Th. M., Powalla M. (2015) Properties of Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells with New Record Efficiencies Up to 21.7 %. Physica status solidi (RRL) Rapid Research Letters, 9 (1), 28–31. https://doi.org/10.1002/pssr.201409520</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Effects of Heavy Alkali Elements in Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells with Efficiencies Up to 22.6% / P. Jackson [et al.] // Phys. Status Solidi – Rapid Res. Lett. 2016. Vol. 10, Iss. 8. P. 583–586. https://doi.org/10.1002/pssr.201670747</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Jackson P., Wuerz R., Hariskos D., Lotter E., Witte W., Powalla M. (2016) Effects of Heavy Alkali Elements in Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells with Efficiencies Up to 22.6 %. Physica status solidi (RRL) Rapid Research Letters, 2016. 10 (8), 583–586. https://doi.org/10.1002/pssr.201670747</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Mandati, S. Pulsed Electrochemical Deposition of CuInSe2 and Cu(In,Ga)Se2 Semiconductor Thin-Films / S. Mandati, B. Sarada, S. R. Dey, S. V. Joshi // Semiconductors – Growth and Characterization. 2018. P. 109–132. https://doi.org/10.5772/intechopen.71857</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Mandati S., Sarada B., Dey S. R., Joshi S. V. (2018) Pulsed Electrochemical Deposition of CuInSe2 and Cu(In,Ga)Se2 Semiconductor Thin-Films. Semiconductors – Growth and Characterization, 109–132. https://doi.org/10.5772/intechopen.71857</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Heriche, H. New Ultra Thin CIGS Structure Solar Cells Using SCAPS Simulation Program / H. Heriche, Z. Rouabah, N. Bouarissa // International Journal of Hydrogen Energy. 2017. Vol. 42, Iss. 15. P. 9524–9532. https://doi.org/10.1016/j.ijhydene.2017.02.099</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Heriche H., Rouabah Z., Bouarissa N. (2017) New Ultra Thin CIGS Structure Solar Cells Using SCAPS Simulation Program. International Journal of Hydrogen Energy, 42(15), 9524–9532. https://doi.org/10.1016/j.ijhydene.2017.02.099</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Singh, P. Temperature Dependence of I V Characteristics and Performance Parameters of Silicon Solar Cell / P. Singh, S. N. Singh, M. Lal, M. Husain // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2008. Vol. 92, Iss. 12. P. 1611–1616. https://doi.org/10.1016/j.solmat.2008.07.010</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Singh P., Singh S. N., Lal M., Husain M. (2008) Temperature Dependence of I V Characteristics and Performance Parameters of Silicon Solar Cell. Solar Energy Materials and Solar Cells, 92 (12), 1611–1616. https://doi.org/10.1016/j.solmat.2008.07.010</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Способ изготовления тонкопленочного солнечного элемента: пат. 20481 Респ. Беларусь: МПК H 01L 31/18, H 01L 31/0264 / А. К. Есман, В. К. Кулешов, Г. Л. Зыков и др.; дата публ. 30.10.2016.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Esman A. K., Kuleshov V. K., Zykov G. L., Zalesski V. B., Leonova T. R. (2016) Method for Fabrication Thin-Film Solar Cell. Patent of the Republic of Belarus No 20481 (in Russian).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Analyze thermal effects with the Heat Transfer Module. COMSOL, Inc. USA. Режим доступа: https://www.comsol.com/heat-transfer-module (Дата доступа: 10.05.2019).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Analyze thermal effects with the Heat Transfer Module. COMSOL, Inc. USA. Режим доступа: https://www.comsol.com/heat-transfer-module (Дата доступа: 10.05.2019).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Моделирование тандемного тонкопленочного солнечного элемента на основе CuInSe2 / А. К. Есман [и др.] // Энергетика. Изв. высш. учеб. заведений и энерг. объединений СНГ. 2018. Т. 61, № 5. С. 385–395. https://doi.org/10.21122/1029-2018-61-5-385-395.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Моделирование тандемного тонкопленочного солнечного элемента на основе CuInSe2 / А. К. Есман [и др.] // Энергетика. Изв. высш. учеб. заведений и энерг. объединений СНГ. 2018. Т. 61, № 5. С. 385–395. https://doi.org/10.21122/1029-2018-61-5-385-395.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Есман, А. К. Моделирование характеристик солнечного элемента на основе CuInSe2 / А. К. Есман, Г. Л. Зыков, В. А. Потачиц // Приборостроение – 2018: материалы 11-й Междунар. Науч.-техн. конф., 14–16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет; редкол.: О.К. Гусев [и др.]. Минск: БНТУ, 2018. С. 279–281.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Есман, А. К. Моделирование характеристик солнечного элемента на основе CuInSe2 / А. К. Есман, Г. Л. Зыков, В. А. Потачиц // Приборостроение – 2018: материалы 11-й Междунар. Науч.-техн. конф., 14–16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет; редкол.: О.К. Гусев [и др.]. Минск: БНТУ, 2018. С. 279–281.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Verschraegen, J. Numerical Modeling of Intraband Tunneling for Heterojunction Solar Cells in SCAPS / J. Verschraegen, M. Burgelman // Thin Solid Films. 2007. Vol. 515, Iss. 15. P. 6276–6279. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2006.12.049</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Verschraegen, J. Numerical Modeling of Intraband Tunneling for Heterojunction Solar Cells in SCAPS / J. Verschraegen, M. Burgelman // Thin Solid Films. 2007. Vol. 515, Iss. 15. P. 6276–6279. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2006.12.049</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Decock, K. Modelling Multivalent Defects in Thin-Film Solar Cells / K. Decock, S. Khelifi, M. Burgelman // Thin Solid Films. 2011. Vol. 519, Iss. 21. P. 7481–7484. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2010.12.039</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Decock, K. Modelling Multivalent Defects in Thin-Film Solar Cells / K. Decock, S. Khelifi, M. Burgelman // Thin Solid Films. 2011. Vol. 519, Iss. 21. P. 7481–7484. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2010.12.039</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit14"><label>14</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Есман, А. К. Повышение энергоэффективности тонкопленочных солнечных элементов на основе соединения CuIn1-xGaxSe2 / А. К. Есман, В. А. Потачиц, Г. Л. Зыков // Проблемы физики, математики и техники. 2016. № 1 (26). С. 30–33.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Есман, А. К. Повышение энергоэффективности тонкопленочных солнечных элементов на основе соединения CuIn1-xGaxSe2 / А. К. Есман, В. А. Потачиц, Г. Л. Зыков // Проблемы физики, математики и техники. 2016. № 1 (26). С. 30–33.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
